Yeni Orijinal Elektron komponentlər IC Çipi IRF3205STRLPBF İnteqrasiya edilmiş sxemlər
Məhsul Atributları
| TİP | TƏSVİRİ |
| Kateqoriya | Diskret Yarımkeçirici Məhsullar |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Serial | HEXFET® |
| Paket | Tape & Reel (TR) Kəsmə lenti (CT) Digi-Reel® |
| Məhsul statusu | Aktiv |
| FET növü | N-Kanal |
| Texnologiya | MOSFET (metal oksidi) |
| Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss) | 55 V |
| Cari – Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv) | 10V |
| Rds On (Maks) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 62A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ İd | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs | 146 nC @ 10 V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds | 3247 pF @ 25 V |
| FET Xüsusiyyəti | - |
| Gücün Dağılması (Maks.) | 200W (Tc) |
| İşləmə temperaturu | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj növü | Səth montajı |
| Təchizatçı Cihaz Paketi | D2PAK |
| Paket / Çanta | TO-263-3, D²Pak (2 Aparıcı + Tab), TO-263AB |
| Əsas məhsul nömrəsi | IRF3205 |
Sənədlər və Media
| RESURS NÖVÜ | LINK |
| Məlumat vərəqləri | IRF3205(S,L)PbF |
| Digər Əlaqəli Sənədlər | IR Hissə Nömrələmə Sistemi |
| Məhsul Təlim Modulları | Yüksək Gərginlikli İnteqrasiya edilmiş Devreler (HVIC Gate Sürücüləri) |
| Seçilmiş Məhsul | Məlumatların emalı sistemləri |
| HTML məlumat cədvəli | IRF3205(S,L)PbF |
| EDA modelləri | SnapEDA tərəfindən IRF3205STRLPBF |
| Simulyasiya modelləri | IRF3205SPBF Saber Modeli |
Ətraf Mühit və İxrac Təsnifatları
| ATRIBUT | TƏSVİRİ |
| RoHS Vəziyyəti | ROHS3 Uyğundur |
| Nəmlik Həssaslıq Səviyyəsi (MSL) | 1 (Limitsiz) |
| REACH Vəziyyəti | Təsirsiz REACH |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Əlavə Resurslar
| ATRIBUT | TƏSVİRİ |
| Başqa adlar | IRF3205STRLPBF-ND SP001576758 IRF3205STRLPBFTR IRF3205STRLPBFDKR IRF3205STRLPBFCT |
| Standart Paket | 800 |
Tranzistor, gücləndiricilərdə və ya elektron idarə olunan açarlarda geniş istifadə olunan yarımkeçirici bir cihazdır.Transistorlar kompüterlərin, mobil telefonların və bütün digər müasir elektron sxemlərin işini tənzimləyən əsas tikinti bloklarıdır.
Sürətli cavab sürəti və yüksək dəqiqliyi sayəsində tranzistorlar gücləndirmə, kommutasiya, gərginlik tənzimləyicisi, siqnal modulyasiyası və osilator daxil olmaqla müxtəlif rəqəmsal və analoq funksiyalar üçün istifadə edilə bilər.Transistorlar ayrı-ayrılıqda və ya inteqral sxemin bir hissəsi kimi 100 milyon və ya daha çox tranzistor saxlaya bilən çox kiçik bir sahədə qablaşdırıla bilər.
Elektron borusu ilə müqayisədə tranzistorun bir çox üstünlükləri var:
1. Komponentin istehlakı yoxdur
Boru nə qədər yaxşı olsa da, katod atomlarının dəyişməsi və xroniki hava sızması səbəbindən tədricən pisləşəcək.Texniki səbəblərdən tranzistorlar ilk dəfə istehsal olunarkən eyni problemlə üzləşdilər.Materiallardakı irəliləyişlər və bir çox aspektlərdə təkmilləşdirmələr sayəsində tranzistorlar adətən elektron borulardan 100-1000 dəfə uzun işləyir.
2. Çox az enerji istehlak edin
Bu, elektron borudan birinin onda biri və ya onlarla hissəsidir.Elektron borusu kimi sərbəst elektronlar istehsal etmək üçün filamenti qızdırmağa ehtiyac yoxdur.Bir tranzistorlu radioya ildə altı ay qulaq asmaq üçün yalnız bir neçə quru batareya lazımdır, boru radiosu üçün bunu etmək çətindir.
3. Əvvəlcədən qızdırmağa ehtiyac yoxdur
Onu işə salan kimi işləyin.Məsələn, tranzistorlu radio açılan kimi sönür, tranzistorlu televizor isə açılan kimi şəkil qurur.Vakuum borusu avadanlığı bunu edə bilməz.Çəkildikdən sonra səsi eşitmək üçün bir müddət gözləyin, şəkilə baxın.Aydındır ki, hərbi, ölçmə, qeyd və s., tranzistorlar çox sərfəlidir.
4. Güclü və etibarlı
Elektron borudan 100 qat daha etibarlı, zərbə müqaviməti, elektron borusu ilə müqayisə olunmayan vibrasiya müqaviməti.Bundan əlavə, tranzistorun ölçüsü elektron boru ölçüsünün yalnız onda birindən yüzə qədərdir, çox az istilik buraxır, kiçik, mürəkkəb, etibarlı sxemlərin layihələndirilməsi üçün istifadə edilə bilər.Tranzistorun istehsal prosesi dəqiq olsa da, proses sadədir, bu da komponentlərin quraşdırılması sıxlığını yaxşılaşdırmaq üçün əlverişlidir.
