IC çip çatışmazlığı təhlili,ICçip inteqral sxemləri inkişaf, istehsal və istifadə prosesində uğursuzluqlardan qaça bilməz.İnsanların məhsulun keyfiyyətinə və etibarlılığına olan tələblərinin yaxşılaşdırılması ilə uğursuzluqların təhlili işi getdikcə daha çox əhəmiyyət kəsb edir.Çip nasazlığının təhlili vasitəsilə dizaynerlərin IC çipi dizayndakı qüsurları, texniki parametrlərdə uyğunsuzluqları, düzgün olmayan dizayn və istismarı və s.
Ətraflı olaraq, əsas əhəmiyyətiICçip çatışmazlığının təhlili aşağıdakı aspektlərdə göstərilir:
1. Uğursuzluğun təhlili IC çiplərinin nasazlıq mexanizmini müəyyən etmək üçün mühüm vasitə və üsuldur.
2. Arızanın təhlili nasazlığın effektiv diaqnostikası üçün lazımi məlumatları təmin edir.
3. Uğursuzluq təhlili dizayn mühəndislərinə dizayn spesifikasiyalarının ehtiyaclarını ödəmək üçün çip dizaynının davamlı təkmilləşdirilməsi və təkmilləşdirilməsi ilə təmin edir.
4. Uğursuzluq təhlili müxtəlif sınaq yanaşmalarının effektivliyini qiymətləndirə, istehsal sınaqları üçün lazımi əlavələri təmin edə və sınaq prosesinin optimallaşdırılması və yoxlanılması üçün lazımi məlumatları təmin edə bilər.
Uğursuzluq təhlilinin əsas mərhələləri və məzmunu:
◆ İnteqrasiya edilmiş sxemin paketdən çıxarılması: İnteqrasiya edilmiş sxemi çıxararkən, çip funksiyasının bütövlüyünü qoruyun, kalıp, bağlayıcılar, bağ naqilləri və hətta aparıcı çərçivəni qoruyun və növbəti çip etibarsızlığının təhlili təcrübəsi üçün hazırlayın.
◆SEM skan edən güzgü/EDX tərkibinin təhlili: material strukturunun təhlili/qüsurun müşahidəsi, element tərkibinin adi mikro-sahə analizi, kompozisiya ölçüsünün düzgün ölçülməsi və s.
◆Prob testi: İçindəki elektrik siqnalıICmikro-zond vasitəsilə tez və asanlıqla əldə edilə bilər.Lazer: Mikro-lazer çipin və ya telin yuxarı xüsusi sahəsini kəsmək üçün istifadə olunur.
◆EMMI aşkarlanması: EMMI aşağı işıqlı mikroskop yüksək həssaslıq və dağıdıcı olmayan nasazlığın yerləşdirilməsi metodunu təmin edən yüksək səmərəli nasazlıq analizi vasitəsidir.O, çox zəif lüminessensiyanı (görünən və yaxın infraqırmızı) aşkarlaya və lokallaşdıra və müxtəlif komponentlərdə qüsurlar və anomaliyalar nəticəsində yaranan sızma cərəyanlarını tuta bilər.
◆OBIRCH tətbiqi (lazer şüası ilə induksiya olunan empedans dəyərinin dəyişməsi testi): OBIRCH tez-tez içəridə yüksək empedanslı və aşağı empedanslı analiz üçün istifadə olunur. ICçiplər və xətt sızması yolunun təhlili.OBIRCH metodundan istifadə edərək, xətlərdəki deşiklər, deşiklərin altındakı deliklər və keçid dəliklərinin altındakı yüksək müqavimət sahələri kimi sxemlərdəki qüsurları effektiv şəkildə tapmaq olar.Sonrakı əlavələr.
◆ LCD ekranda qaynar nöqtənin aşkarlanması: IC-nin sızma nöqtəsində molekulyar düzülüşü və yenidən təşkili aşkar etmək üçün LCD ekrandan istifadə edin və sızma nöqtəsini tapmaq üçün mikroskop altında digər sahələrdən fərqli ləkə formalı təsviri göstərin (nöqsan nöqtəsi: 10mA) faktiki analizdə dizayneri narahat edəcək.Sabit nöqtəli/qeyri-sabit nöqtəli çipin üyüdülməsi: LCD sürücü çipinin yastığı üzərində implantasiya edilmiş qızıl qabarcıqları çıxarın ki, Pad tamamilə zədələnməsin, bu da sonrakı təhlil və yenidən birləşmə üçün əlverişlidir.
◆X-ray qeyri-dağıdıcı sınaq: müxtəlif qüsurları aşkar edin ICsoyulma, partlama, boşluqlar, naqillərin bütövlüyü, PCB kimi istehsal prosesində bəzi qüsurlar ola bilər, məsələn, zəif uyğunlaşma və ya körpü, açıq dövrə, qısa qapanma və ya anormallıq Bağlantılarda qüsurlar, paketlərdə lehim toplarının bütövlüyü.
◆SAM (SAT) ultrasəs qüsurlarının aşkarlanması daxili strukturu qeyri-dağıdıcı şəkildə aşkar edə bilər.ICçip paketi və nəm və istilik enerjisinin səbəb olduğu müxtəlif zədələri effektiv şəkildə aşkar edin, məsələn, O vafli səthinin təbəqələşməsi, O lehim topları, vaflilər və ya doldurucular Qablaşdırma materialında boşluqlar, qablaşdırma materialının içərisində məsamələr, vafli yapışan səthlər kimi müxtəlif deşiklər var , lehim topları, doldurucular və s.
Göndərmə vaxtı: Sentyabr-06-2022